しまだ・やすひろの著作物紹介
「やりたいこと」がわからない。だから「志望動機」も書けない。そんな思考停止から脱却したい就活生にうってつけのマインドセット。それが「とりあえず」の仮説思考！
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「やりたいこと」は「とりあえず」の仮説でよい。
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「自分らしさ」が自己ＰＲの核心。
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テーマが決まってなくても「研究内容」は書ける。
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企業研究で「志望動機」はつくり出せる。
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小さな成長で「ポテンシャル」を証明する。
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面接で自分をわかってもらうには。
日本橋出版（2021年）
ディスカヴァー２１よりまもなく電子化
原書 D.K. Schroder, “Semiconductor Device and Material Characterization,” 3rd Ed., John Wiley & Sons, Inc. ©2006の全訳。
まもなく２刷完売のロングセラー。半導体評価技術の集大成・決定版。
ISBN-13: 978-4781304793 、全583頁
シー・エム・シー出版（2012年）
Ferroelectric Random Access Memories, Topics in Applied Physics, Vol. 93, Part III
強誘電体メモリの電気的諸特性の劣化現象を取り上げ、それらの評価方法を解説。各現象における議論では、それぞれの現象の物理的起源にまで言及。メモリ・デバイスの設計や製造プロセスの改善・向上に役立つよう配慮し、学術的知見を実戦力に橋渡しすることを目的としている。
ISBN 3-540-40718-9 (pp.177-194執筆担当)
Springer-Verlag, Berlin Heidelberg（2004年）
小柳光正監修「次世代半導体メモリの最新技術」第４章の２：
破壊読み出しおよび非破壊読み出しの原理に基づく強誘電体メモリの動作を解析し、それぞれに特有な信頼性上の課題となる物理過程を詳述。
ISBN978-4-88231-992-4、(pp.141-162執筆担当)
シー・エム・シー出版（2004年）
石原宏監修「強誘電体メモリーの新展開」第７章：
強誘電体メモリの電気的諸特性の劣化現象を取り上げ、それらの評価方法を解説。各現象における議論では、それぞれの現象の物理的起源にまで言及し、メモリ・デバイスの設計や製造プロセスの改善・向上に役立つよう配慮し、学術的知見を実戦力に橋渡しすることを目的としている。ISBN 3-540-40718-9 (pp.177-194執筆担当)
シー・エム・シー出版（2004年）
強誘電体メモリ（FeRAM）の物理的側面に焦点を当て、特に不揮発性の物理的な意味、その安定性に影響する物理的諸因子を描き出した技術解説書。ISBN 4-901790-15-3、全40頁
ＥＤリサーチ社（2002年）